RamSan-810

RamSan- 810是Texas Memory Systems公司第一个企业级多级单元（eMLC）闪存存储系统。

eMLC闪存结合了单级单元（SLC）的高速和可靠性，以及MLC闪存的低成本。它适用于读密集型的企业工作。新的eMLC RamSan- 810拥有以下主要特点：

• 2至10 TB的可用存储空间
• 企业级的32nm eMLC闪存媒体
• 1U外形，支持两个双端口8GB/s光纤通道控制器或双端口40Gb /s的QDR InfiniBand的控制器
• Series-7 系列闪存控制器™具备硬件闪存管理和独有的可靠性功能

RamSan- 810可以加速读密集型的企业存储区域网络（SAN）应用的性能，如：

• 数据仓库和联机分析处理（OLAP）数据库
• 内容交付网络
• 连续的数据收集

可靠性
RamSan- 810具备真正的企业级存储所需的可靠性功能，包括：

• 标准的芯片级RAID和独有的可变条带RAID™（VSR™）保护,以应对板和芯片故障
• 增强的纠错码（ECC）对页面故障的保护
• 可用的集成备用闪存卡减少停机维护时间
• 主动故障转移的冗余电源对单电源问题的保护

架构
RamSan-810延续了TMS高带宽，低延迟，以及在硬件中实现大部分控制逻辑的传统。它内置21块TMS Series-7系列闪存控制器独有供电的™的闪存板。闪存板之间由高速内部数据交换机连接，由两个双端口光纤通道或InfiniBand接口，以及一个管理控制器提供了一个以太网接口。

Series-7 闪存控制器™
Texas Memory Systems公司独家提供的Series- 7闪存控制器™是第七代RamSan闪存控制器。相比其他架构，其主要功能包括：

1. 更好的性能。 Series-7系列闪存控制器的高度并行架构，通过减少单个FPGA的负载,充分利用了每个闪存芯片的性能。这种并行架构是RamSan设计的核心部分，也是RamSan的性能无可争议领先的原因。
2. 更可靠的特点。独有的可变条带RAID™（VSR™）技术，专门在TMS产品中，有效地绕过失败的闪存面板和芯片。增强的纠错码（ECC）技术可以帮助移除块故障。
3. 对小请求改进的延迟。 Series-7系列闪存控制器对小请求（512字节）的优化，显著减少了延迟。

可变条带RAID™（VSR™）
Series-810 闪存控制器提供的独有的可变条带RAID™功能能够降低业务中断, 对常见的闪存面板故障和不常见的闪存设备故障提供更高级别的保护，从而提高了平均故障间隔时间（MTBF）。VSR补充了标准纠错技术，使系统能应对闪存故障事件，以持续运行。它在传统的RAID之上，提供更大的磁条大小粒度和可变条带大小，允许控制器跳过坏区而不是检测失败或更换一个完整的备用芯片。 VSR允许跨更少的闪存设备分布对异或RAID条带进行动态大小调整。当检测到闪存设备故障时，数据将被迁移到新的完好的条纹。

终极写入性能和可靠性
RamSan- 810在每张闪存卡上包含30%的过度配置空间 （19％过度配置空间和11％RAID开销—13TB原始空间vs10TB使用）以提供给用户业界领先的性能和可靠性。过度配置的做法是包含额外的对用户不可见的空间以增加写性能。