RamSan-710是Texas Memory Systems公司最新的机架式闪存存储系统，具有：5 TB的可用存储空间, 4个8Gb/s光纤通道或4个40 Gb/s的QDR InfiniBand端口, 1U机架式外形,东芝的企业级32nm的（SLC）闪存,独有的Series- 7 系列闪存控制器™的可靠性功能 .
RamSan-710能加速高性能企业级存储区域网络（SAN）环境。客户在世界各地使用RamSan SAN存储的应用程序，如：
- 大型集中数据库
- 报告和数据仓库
- 渲染和视频编辑
- 建模与仿真
RamSan-710作为一个标准的应用程序块设备，配备了光纤通道和InfiniBand接口卡。
可靠性
RamSan-710具备真正的企业级存储所需要的可靠性功能,包括：
- 标准的芯片级RAID和独有的可变条带RAID™（VSR™）保护以应对板和芯片故障
- 增强的纠错码（ECC）对块故障的保护
- 可用的集成备用闪存卡缩短了停机维护时间
- 主动故障转移的冗余电源对单电源问题的保护
架构
RamSan-710延续了TMS高带宽，低延迟，以及在硬件中实现大部分控制逻辑的传统。它内置21块TMS Series-7系列闪存控制器独有供电的™的闪存板。闪存板之间由高速内部数据交换机连接，由两个双端口光纤通道或InfiniBand接口，以及一个管理控制器提供了一个以太网接口。
可变条带RAID™（VSR™）
Series- 7 闪存控制器提供的独有的可变条带RAID™功能能够降低业务中断, 对常见的闪存面板故障和不常见的闪存设备故障提供更高级别的保护，从而提高了平均故障间隔时间（MTBF）。VSR补充了标准纠错技术，使系统能应对闪存故障事件，以持续运行。它在传统的RAID之上，提供更大的磁条大小粒度和可变条带大小，允许控制器跳过坏区而不是检测失败或更换一个完整的备用芯片。 VSR允许跨更少的闪存设备分布对异或RAID条带进行动态大小调整。当检测到闪存设备故障时，数据将被迁移到新的完好的条纹。
终极写入性能和可靠性
RamSan- 710保留了部分闪存的存储空间，用于最大限度地提高性能和可靠性。 19％的原始容量是过度配置的，11％是RAID开销。用户无法访问已保留的闪存存储空间，主要是因为它提供了一个写入前不需要擦除的块，从而增加了写的性能。 Texas Memory Systems公司的产品通常比其他竞争产品拥有更多过度配置空间。 RAID开销包括校验和其它提供有效故障恢复的数据的冗余形式所占用的存储空间
I/Os Per Second
Capacity
Bandwidth
Latency
- Writes: 35 microseconds
- Reads: 175 microseconds
lConnection
- Four 8 Gb/s Fibre Channel or four 40 Gb/s QDR InfiniBand ports
LUN Support
- 1 to 1024 LUNs with variable capacity per LUN
- Flexible assignment of LUNs to ports
Factor
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Tel:+8621 62809115